比利时微电子估量中心（imec）在荷兰Eindhoven与艾司摩尔（ASML）妥洽的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影本质室kaiyun(欧洲杯)app-kaiyun欧洲杯app(中国)官方网站-登录入口，愚弄数值孔径0.55极紫外光曝光机，发布曝光后图形化组件结构。

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imec示意，单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）立时逻辑结构、中心间距为30纳米立时通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态立时拜访内存（DRAM）专用布局所有顺利成形，采imec与先进图形化估量推测伙伴优化材料和基线制程。imec阐发微影生态系统准备就绪，能完成高隔离率high NA EUV单次曝光。

ASML与imec共同涵养的荷兰费尔德霍温High NA EUV微影本质室近期激活，客户可用TWINSCAN EXE:5000高数值孔径极紫外光曝光机开发非公开high NA EUV案例，也能经受客户联想规则和布局。

imec取得手用单次曝光，酿成断绝为9纳米与半线宽为5纳米的立时逻辑结构，相等于间距为19纳米，图形尖端（tip-to-tip）间距达20纳米以下。中心间距为30纳米的立时通孔充分展示绝佳图形保真度与舛误尺寸均匀度。间距为22纳米的二维特征也展现异常性能，凸显高数值孔径微影终了2D布线的后劲。

除了逻辑结构，imec也取得手用单次曝光，为动态立时拜访内存（DRAM）制作电荷存储节点相连垫（storage node landing pad）与周边位元线相互集成的组件图形，显出高数值孔径的潜能，有望单次曝光取代多层光罩曝光需求。

取得破损性后果后，imec联袂ASML与伙伴雅致妥洽，紧锣密饱读准备，为第一代High NA EUV微影沟通图形化生态系统与测量。屡次曝光前，imec准备专用芯片堆栈（含先进光阻、涂布底层及光罩），并把光学周边改革（OPC）、集成图形化及蚀刻等high NA EUV基线制程集成至0.55NA EUV机台。

imec运算及系统／运算系统微缩估量推测的资深副总裁（SVP）Steven Scheer示意，很欢娱能在ASML与imec共同创建的本质室展示专家初度愚弄high NA完成的逻辑及内存组件图形化，亦然业界应用初度认证。摈弃清晰，愚弄单次曝光成像积极微缩2D特征图形方面，High NA EUV展现特有潜能，不仅改善联想弹性，也减少图形化的资本与复杂度。期待提供价值洞见给图形化生态系统的妥洽伙伴，协助推动High NA EUV专用材料及拓荒发展。

imec首席实行官Luc Van den hov示意，这次后果阐发高数值孔径EUV具永久瞻望的隔离率智商，狡计是愚弄单次曝光制作间距20纳米以下的金属层。High NA EUV会为持续逻辑和内存时候的尺寸微缩提供极大匡助，这亦然推动组件发展蓝图迈向埃米时期的垂死相沿。早期时候展示全因ASML与imec共同本质室涵养才得以终了，让妥洽伙伴加快用高数值孔径微影匡助量产。

(首图起原：imec)kaiyun(欧洲杯)app-kaiyun欧洲杯app(中国)官方网站-登录入口